发表于：2005/7/27 14:39:00
#0楼
ZMD公司的NvSRAM，内部集成EEPROM，数据在掉电时自动保存至EEPROM，上电时数据自动恢复至SRAM，无需电池保护。同时具备软件指令可随时启动内部的写功能，将SRAM里的数据写到EEPROM，使用方便灵活。
ZMD nvSRAM— 理想的基于电池的SRAM替代品。
容量：16Kb, 64Kb, 256Kb/
结构：2K x 8, 8K x 8, 32K x8
供电电压：3.0V /3.3V/ 5.0V
访问时间：25 to 70 ns
温度范围： 0 to +70/-40 to +85
封装： DIP, SOP
存储类型： HardStore SoftStore CapStore PowerStore
特点
不同的存储及读取的方式，广泛的应用范围：供电电压，地址次序或1或者更多的控制脚位。
10年的EEPROM最后一次写入数据的存储。
耐久力(EEPROM): > 100,000 次
耐久力(SRAM): 无限次
需要详细资料请联系:0755-83295575 EMAIL:KINGTANG@WALASEY.COM
ZMD nvSRAM— 理想的基于电池的SRAM替代品。
容量：16Kb, 64Kb, 256Kb/
结构：2K x 8, 8K x 8, 32K x8
供电电压：3.0V /3.3V/ 5.0V
访问时间：25 to 70 ns
温度范围： 0 to +70/-40 to +85
封装： DIP, SOP
存储类型： HardStore SoftStore CapStore PowerStore
特点
不同的存储及读取的方式，广泛的应用范围：供电电压，地址次序或1或者更多的控制脚位。
10年的EEPROM最后一次写入数据的存储。
耐久力(EEPROM): > 100,000 次
耐久力(SRAM): 无限次
需要详细资料请联系:0755-83295575 EMAIL:KINGTANG@WALASEY.COM