IGBT、晶闸管（可控硅）、MOS场效应管的测量

IGBT好坏判断 ：

将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的集电极（C），红表笔接IGBT 的发射极（E），此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。 注意：若进第二次测量时，应短接一下发射极（E）和栅极（G）。
任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。

晶闸管(可控硅)的好坏判断：
1、将万用表拨在R×1Ω挡，黑笔接A(阳极)，红笔接K（阴极），指针不动；
2、短接A（阳极）、G（控制极），指针向右摆动，读数为几十Ω；
3、断开导线，读数不变，指针保持不动；
4、短接G(控制极)、K（阴极），指针回归到原位置无穷大处。

场效应管的好坏判断：

方法一：
1、R×10KΩ档，黑笔接G，红笔接S，充电3秒，指针不动；
2、黑笔接D，红笔接S，指针回摆到0Ω附近，说明触发成功；
3、红笔接G，黑笔接D，指针在左边无穷大处；
4、黑笔接D，红笔接S，指针在左边无穷大处，说明MOS管是好的。

方法二：

用万用表R×10KΩ档，把黑笔接栅极G，红笔接源极S，给栅极、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转；再改用万用表R×1Ω档，将黑笔接漏极D，红笔接源极S，万用表指示值若为几Ω，则说明场效应管是好的。