发表于：2011/9/2 16:48:56
#0楼
在反激式电源设计中采用准谐振有哪些优势？低成本和高可靠性是离线电源设计中两个最重要的目标。准谐振 (Quasi resonant) 设计为设计人员提供了可行的方法，以实现这两个目标。准谐振技术降低了MOSFET的开关损耗，从而提高可靠性。此外，更软的开关改善了电源的EMI特性，允许设计人员减少使用滤波器的数目，因而降低成本。
现有的L-C 储能电路正战略性地用于PWM电源中。结果是L-C 储能电路的谐振效应能够“软化”开关器件的转换。这种更软的转换将降低开关损耗与硬开关转换器相关的EMI。由于谐振电路仅在相当于其它传统方波转换器的开关转换瞬间才起作用，故而有 “准谐振”之名。
要理解这种设计的拓扑结构，必须了解MOSFET和变压器的寄生特性。MOSFET包含若干个寄生电容，主要从器件的物理结构产生。它们可以简化为MOSFET输入电容CISS和MOSFET输出电容COSS：
CISS = CGS + CDG
COSS = CDS + CDG
在硬开关转换器中，输出电容COSS是开关损耗的主要来源。
变压器也包含了寄生电容。这些电容包括绕组间电容和层间电容，可以一起转型为单一的电容CW，也是硬开关转换器开关损耗的主要来源。
传统硬开关反激式转换器：在这种传统的间断模式反激式转换器 (DCM) 的停滞时间期间，寄生电容将与VDC周围的主要电感发生振荡。寄生电容上的电压会随振荡而变化，但始终具有相当大的数值。当下一个时钟周期的MOSFET 导通时间开始时，寄生电容 (COSS和CW) 会通过MOSFET放电，产生很大的电流尖峰。由于这个电流出现时MOSFET存在一个很大的电压，该电流尖峰因此会做成开关损耗。此外，电流尖峰含有大量的谐波含量，从而产生EMI。
在反激式电源设计中采用准谐振或谷值开关方案有着若干优势。
降低导通损耗：由于FET转换具有最小的漏源电压，在某些情况下甚至为零，故可以减小甚至消除导通电流尖峰。这减轻了MOSFET的压力以及电源的EMI。
降低关断损耗：由于规定FET会在谷值处进行转换，在某些情况下，可能会增加额外的漏源电容，以减低漏源电压的上升速度。较慢的漏源电压上升时间会减少FET关断时漏级电流和漏源电压之间的电压/电流交迭，使到MOSFET的功耗更少，从而降低其温度及增强其可靠性。
导通电流尖峰的减小或消除以及较慢的漏源电压上升速度都会减少EMI。一般而言，这就允许减少EMI滤波器的使用数量，从而降低电源成本。
本文来自 http://www.glspower.org/c1203.html
现有的L-C 储能电路正战略性地用于PWM电源中。结果是L-C 储能电路的谐振效应能够“软化”开关器件的转换。这种更软的转换将降低开关损耗与硬开关转换器相关的EMI。由于谐振电路仅在相当于其它传统方波转换器的开关转换瞬间才起作用，故而有 “准谐振”之名。
要理解这种设计的拓扑结构，必须了解MOSFET和变压器的寄生特性。MOSFET包含若干个寄生电容，主要从器件的物理结构产生。它们可以简化为MOSFET输入电容CISS和MOSFET输出电容COSS：
CISS = CGS + CDG
COSS = CDS + CDG
在硬开关转换器中，输出电容COSS是开关损耗的主要来源。
变压器也包含了寄生电容。这些电容包括绕组间电容和层间电容，可以一起转型为单一的电容CW，也是硬开关转换器开关损耗的主要来源。
传统硬开关反激式转换器：在这种传统的间断模式反激式转换器 (DCM) 的停滞时间期间，寄生电容将与VDC周围的主要电感发生振荡。寄生电容上的电压会随振荡而变化，但始终具有相当大的数值。当下一个时钟周期的MOSFET 导通时间开始时，寄生电容 (COSS和CW) 会通过MOSFET放电，产生很大的电流尖峰。由于这个电流出现时MOSFET存在一个很大的电压，该电流尖峰因此会做成开关损耗。此外，电流尖峰含有大量的谐波含量，从而产生EMI。
在反激式电源设计中采用准谐振或谷值开关方案有着若干优势。
降低导通损耗：由于FET转换具有最小的漏源电压，在某些情况下甚至为零，故可以减小甚至消除导通电流尖峰。这减轻了MOSFET的压力以及电源的EMI。
降低关断损耗：由于规定FET会在谷值处进行转换，在某些情况下，可能会增加额外的漏源电容，以减低漏源电压的上升速度。较慢的漏源电压上升时间会减少FET关断时漏级电流和漏源电压之间的电压/电流交迭，使到MOSFET的功耗更少，从而降低其温度及增强其可靠性。
导通电流尖峰的减小或消除以及较慢的漏源电压上升速度都会减少EMI。一般而言，这就允许减少EMI滤波器的使用数量，从而降低电源成本。
本文来自 http://www.glspower.org/c1203.html