发表于:2011/8/27 16:45:15
#0楼
工业系统是由哪些结构组成的?近年来随着电力电子元器件和控制系统结构的发展,GTO、IGCT和IGBT的开发以及变频技术结构形式上的发展,使得高压、大容量变频器得以迅速应用在工业系统当中。变频传动装置首先经历的是在原有的二电平控制结构基础上并串联上多个元器件。
元器件的并联连接,输出电压要满足元器件承受电压的要求,这种连接方式所引起的问题与复杂的均流装置相绞合在一起,电路的复杂程度常常易造成元器件的损坏;对于串联元器件的连接形式,输出电流同样要满足元器件的承受能力要求,要确保其分布在元器件上的电压在任何情况下都要均衡,故也容易常常发生系统的故障。因此从系统的可靠性的角度来说,它们都很难保证系统的可靠运行,同时输出波形也很差。
在电力电子元器件发展的同时,变频器的拓扑结构也在随之得到开发,伴随着电力电子元器件的耐压和承受电流的限制,变频器的拓扑结构相继出现了三电平、四电平和多电平结构的形式。对于三电平、四电平和多电平结构的变频器,它提供给电动机非常小的谐波电流且电流波形也更接近交流电动机要求的正弦波电流波形。通过这种拓扑结构可知随着多电平的增加,其电压幅值在相应的降低,这使功率元器件所承受的电压降低,更加有利于减少装置产生的dv/dt。
当前的大容量、高压变频器,既要保证大功率的输出,又要确保系统的可靠运行,还要保证输出波形更趋近于正弦波。三电平的结构方案在近年来的发展中既使用有GTO(以及最近的IGCT中)元器件,也采用在IGBT的方案中。但它的不足是元器件的导通或阻断是由箝位二极管来加以保证的,箝位二极管的耐压要求较高,数量庞大;开关器件的导通负荷不一致;在变流器进行有功功率传送时,直流侧各电容的冲放电时间各不相同,容易造成电容电压的不平衡,增加了系统动态控制的难度;同时这种结构的扩展能力也很有限。
随着现代拓扑技术的发展,多电平的变频技术结构方案得以在工业系统中应用。这种变频器的特点是保证了元器件的串并联连接,同时它又不是元器件的简单的串并联而是从结构上的串联连接,它确保了电压安全和自然分配。其最为明显的特点为:
在工业中采用的高压标准为3.3kV,4.2kV,5.5kV,6.6kV,按照这些标准,通过整体的单元装置的串并联拓扑结构技术去满足不同等级的电压要求;
由于这种结构特点,使当今系统普遍采用的多台变频共用一条直流母线的方案非常容易实现,以达到在系统内部的能量互相交换;
这种结构取消了传统结构中的在各级元器件上的众多分压分流保护装置,可以使电路的各个单元彼此相互隔离,使得系统既简单,又可靠且易于维护。从而消除了串并列多个半导体元件所带来的系统可靠性差的因素;
由于此结构采用的是IGBT元器件,它的开管频率高,触发电流小,且IGBT非常容易在市场找到,从而为开发和应用带来了极大的选择机会。
本文来自 http://www.glspower.org/c1177.html
元器件的并联连接,输出电压要满足元器件承受电压的要求,这种连接方式所引起的问题与复杂的均流装置相绞合在一起,电路的复杂程度常常易造成元器件的损坏;对于串联元器件的连接形式,输出电流同样要满足元器件的承受能力要求,要确保其分布在元器件上的电压在任何情况下都要均衡,故也容易常常发生系统的故障。因此从系统的可靠性的角度来说,它们都很难保证系统的可靠运行,同时输出波形也很差。
在电力电子元器件发展的同时,变频器的拓扑结构也在随之得到开发,伴随着电力电子元器件的耐压和承受电流的限制,变频器的拓扑结构相继出现了三电平、四电平和多电平结构的形式。对于三电平、四电平和多电平结构的变频器,它提供给电动机非常小的谐波电流且电流波形也更接近交流电动机要求的正弦波电流波形。通过这种拓扑结构可知随着多电平的增加,其电压幅值在相应的降低,这使功率元器件所承受的电压降低,更加有利于减少装置产生的dv/dt。
当前的大容量、高压变频器,既要保证大功率的输出,又要确保系统的可靠运行,还要保证输出波形更趋近于正弦波。三电平的结构方案在近年来的发展中既使用有GTO(以及最近的IGCT中)元器件,也采用在IGBT的方案中。但它的不足是元器件的导通或阻断是由箝位二极管来加以保证的,箝位二极管的耐压要求较高,数量庞大;开关器件的导通负荷不一致;在变流器进行有功功率传送时,直流侧各电容的冲放电时间各不相同,容易造成电容电压的不平衡,增加了系统动态控制的难度;同时这种结构的扩展能力也很有限。
随着现代拓扑技术的发展,多电平的变频技术结构方案得以在工业系统中应用。这种变频器的特点是保证了元器件的串并联连接,同时它又不是元器件的简单的串并联而是从结构上的串联连接,它确保了电压安全和自然分配。其最为明显的特点为:
在工业中采用的高压标准为3.3kV,4.2kV,5.5kV,6.6kV,按照这些标准,通过整体的单元装置的串并联拓扑结构技术去满足不同等级的电压要求;
由于这种结构特点,使当今系统普遍采用的多台变频共用一条直流母线的方案非常容易实现,以达到在系统内部的能量互相交换;
这种结构取消了传统结构中的在各级元器件上的众多分压分流保护装置,可以使电路的各个单元彼此相互隔离,使得系统既简单,又可靠且易于维护。从而消除了串并列多个半导体元件所带来的系统可靠性差的因素;
由于此结构采用的是IGBT元器件,它的开管频率高,触发电流小,且IGBT非常容易在市场找到,从而为开发和应用带来了极大的选择机会。
本文来自 http://www.glspower.org/c1177.html