IGBT实用的驱动电路，以及一些设计细节，适合工程师、采购、维修人员

概要：笔者从事电力电子研发领域，经常使用IGBT，积累了一些设计经验，在此与大家分享。大部分内容不追求理论深度，而主要是帮助大家提高感性认识，为使用IGBT提供一些参考。

1.IGBT的模型
IGBT的模型在教科书上能找到，其栅极G，相当于一个数纳法（nF）的小电容（暂时这样认为），这与MOS管类似；其集电极C和发射极E又类似于一只三极管的C、E极。因此，它结合了MOS管和三极管的特点：（详情见附件）
2. IGBT的基本驱动电路
（1）供电采用隔离变压器，最好采用开关稳压电源，上下桥严格隔离，安全间距1mm/100V，即对于380V系统要用4mm安全间距。
（2）供电电压：+17.5V，-8V，GND。其中GND接IGBT的E极。+17.5V和-8V接光耦的8、5脚。
（3）瞬时电流提供：供电电源上并接1uF/50V独石电容若干个。
（4）栅极驱动电阻Rg，采用IGBT资料的推荐值至推荐值的3倍之间。
（5）栅极放电电阻，10k欧；栅极保护稳压二极管：18V/1W，头对头串联。
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