简单讲就是带电池的内存；一般的内存断电后数据就全部初始化；
控制板通电，内存用控制板电维持工作，断电后，用自带电池维持工作，内存静态工作，耗电非常小；
运行的数据放在这个内存中，控制板断电后，内存靠自身的电池保持数据不丢失；
如DS1230储存芯片，内部带了个锂电池；
有的内存的外带电池，比如欧姆龙的PLC，如果电池容量不够，更换个新电池；
更换电池要带电，如果断电后更换，电池取下，内存数据就没有了；
很多用plc做控制设备，很久时间没有用，程序数据丢失就是因为电池无法充电，消耗尽了；
概述
DS1230 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1230器件可以用来替代现有的32k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。DIP器件还与28256 EEPROM的引脚匹配，可直接替换并增强其性能。小尺寸模块封装的DS1230器件专为表面贴装应用设计。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
本产品包含金属锂电池。关键特性
在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
掉电期间数据被自动保护
替代32k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存
没有写次数限制
低功耗CMOS操作
70ns的读写存取时间
第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
±10% VCC工作范围(DS1230Y)
可选择±5% VCC工作范围(DS1230AB)
可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
JEDEC标准的28引脚DIP封装
PowerCap模块(PCM)封装
表面贴装模块
可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
所有非易失SRAM器件提供标准引脚
分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸
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