发表于：2011/1/14 16:27:32
#0楼
IRFP450LC是MOSFE系列新产品，它采用了HEXFET技术，在功率消耗方面大大降低了传统的栅极电荷。 利用先进的技术设备可降低栅极驱动要求，更快的开关速度增加了系统总储蓄量。IRFP450LC的内部改进及设计提供了一个开关应用中的功率晶体管的新标准。IRFP450LC采用TO - 247封装，这个封装方式较之前的TO – 220，同样的功率，但是消耗少，所以成本更低，所以是商业、工业应用的首选。
Tc = 100℃ 连续漏电流8.6 A
脉冲漏极电流 56
Tc = 25℃ 功率耗散 190W
单脉冲雪崩能量：760 兆焦耳
雪崩电流 14 A
重复雪崩能量 19 兆焦耳
存储温度范围：-55〜+ 150 ° C间
焊接温度：10秒 300
Tc = 100℃ 连续漏电流8.6 A
脉冲漏极电流 56
Tc = 25℃ 功率耗散 190W
单脉冲雪崩能量：760 兆焦耳
雪崩电流 14 A
重复雪崩能量 19 兆焦耳
存储温度范围：-55〜+ 150 ° C间
焊接温度：10秒 300