发表于：2010/12/24 16:26:50
#0楼
irg4bc20ud具体参数如下：集电极到发射极电压600 V；当温度等于25℃时，连续集电极电流13 A，当温度等于100℃时，连续集电极电流6.5A； 集电极电流52 A；负载电流52 A，当温度等于100℃时，二极管正向电流 7.0 A；二极管的最大正向电流52 A;栅射极电压± 20 V ；当温度等于60度时，最大功率耗散 60 W；当温度等于100℃时，最大功率耗散24 W；
存储温度范围在-55到+150 ℃ 之间。焊接温度300 摄氏度。
irg4bc20ud的优势特性如下：一、快速反应。优化前的工作频率为8-40千赫，优化后的频率为200千赫。第二、采用第四代IGBT的设计，为提供更好的工作效率提供基础。第三、采用超软恢复二极管，这也是快速反应的基础。第四、采用工业标准的TO - 220AB封装。
存储温度范围在-55到+150 ℃ 之间。焊接温度300 摄氏度。
irg4bc20ud的优势特性如下：一、快速反应。优化前的工作频率为8-40千赫，优化后的频率为200千赫。第二、采用第四代IGBT的设计，为提供更好的工作效率提供基础。第三、采用超软恢复二极管，这也是快速反应的基础。第四、采用工业标准的TO - 220AB封装。