发表于：2010/12/8 11:27:09
#0楼
4N31是具备砷化镓红外线发射器的光耦合器，高灵敏度低输入驱动电流是其最大的特点。
绝对最大额定值（温度在25℃）如下：
贮藏温度：-55到+150 ℃
工作温度：-55到+100 ℃
无铅焊锡温度：10秒
器件总功耗：3.3 毫瓦
反向电压：3 V
正向电流-峰值：3.0 mA
LED功率耗散：150 毫瓦
温度超过25℃时每增加一度功耗增加2.0 毫瓦
探测器
集电极发射极击穿电压：30 V
集电极基极击穿电压：30 V
发射极集电极击穿电压： 5 V
探测器功：150毫瓦
绝对最大额定值（温度在25℃）如下：
贮藏温度：-55到+150 ℃
工作温度：-55到+100 ℃
无铅焊锡温度：10秒
器件总功耗：3.3 毫瓦
反向电压：3 V
正向电流-峰值：3.0 mA
LED功率耗散：150 毫瓦
温度超过25℃时每增加一度功耗增加2.0 毫瓦
探测器
集电极发射极击穿电压：30 V
集电极基极击穿电压：30 V
发射极集电极击穿电压： 5 V
探测器功：150毫瓦