发表于：2010/7/16 12:31:08
#0楼
原文引用自：飞凌首页 技术更新 www.witech.com.cn
飞凌OK6410开发板全新升级，标配1G超大容量NandFlash，让您的使用更加游刃有余。
市面上绝大多数6410开发板仍然只是支持SLC类型的NAND。我们经过努力，实现了MLC NAND的完美支
持。成为同价位开发板中唯一标配1GFlash的产品。包括wince系统在内的驱动软件经过改写，并严格测
试。使用MLC的NAND可大幅提高容量和产品性价比。
备注：强大的S3C6410处理器支持MLC NANDFLASH,而这个功能在S3C2440上是不支持的。MLC NAND已经得
到广泛应用，是未来的发展方向。
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以前只是知道FLASH分为NOR和NAND，没有注意过NAND还分很多种。今天看到飞凌的升级信息，就在
网上查了一下。评论不一，就拿出来和大家讨论一下，互相学习了。
Flash闪存是非易失性存储器，这是相对于SDRAM等存储器所说的。即存储器断电后，内部的数据仍
然可以保存。Flash根据技术方式分为Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash，而U盘和MP3中最常用的内存就
是Nand Flash。
Nand Flash也有几种，根据技术方式，分为SLC、MCL、MirrorBit等三种。SLC是Single level cell
的缩写，意为每个存储单元中只有1bit数据。而MLC就是Multi-Level-Cell，意为该技术允许2 bit的数
据存储在一个存储单元当中。而MirrorBit则是每个存储单元中只有4bit数据。
SLC的技术存储比较稳定，SLC的技术也最为成熟。然而MLC可以在一个单元中有2bit数据，这样同样大小
的晶圆就可以存放更多的数据，也就是成本相同的情况下，容量可以做的更大，这也是同样容量，MLC价
格比SLC低很多的原因。通常情况下相同容量的MLC和SLC，MLC的价格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。
区分SLC(停产)和MLC（现在主流，分新老制程，60NM 和56/50NM ）
1、看Flash的型号：根据Flash的命名规则，进行区分。
2、测试读写速度：SLC的非常快，MLC的很慢。
SLC闪存：即单层式储存 (Single Level Cell；SLC)，包括三星电子、Hynix、美光（Micron）以及
东芝都是此技术使用者
MLC闪存：多层式储存（Multi Level Cell；MLC)，目前有东芝、Renesas、三星使用，英飞凌
（Infineon）与Saifun Semiconductors合资利用NROM技术所共同开发的多位储存（Multi Bit Cell；
MBC）。
除了三星，Hynix等其他存储器制造商也在向MLC闪存迈进。虽然东芝凭借多年的技术积累而在MLC技
术上占据优势，但英特尔与美光科技的合资企业IM Flash也有能力结合英特尔MLC技术与美光的NAND闪存
，从而在MLC型NAND闪存领域迅猛发展。
MLC闪存技术并非没有不足，实际上，在采用先进工艺生产MLC闪存方面困难重重。随着闪存技术的
演进，在浮动栅(floating gate)中存储的电荷总量减少了，使得检测存储的信息变得更加困难，尤其是
对MLC芯片而言，它需要识别四个电压值，而非两个。尽管如此，据报道，东芝在70nm工艺中能够保证采
用与90nm技术相同的代码纠错方案。这显示该公司并没有放慢MLC技术缩放的步伐，最少是就现在而言。
对于我们消费者而言，最关心的就是产品的质量问题，因此，网上流传很多说法，好像只有使用SLC
闪存的产品才是质量好的产品，其实不尽然，产品的质量好坏第一个关节是采用的物料的好坏，第二个
关节是厂家是否在生产过程中偷工减料。这两者都是很重要的。再其次，就是产品的成熟程度，一般刚
推出来的产品一般都会存在一些不为人知的问题，只能靠以后的不断改进才能使产品日趋完善
随着MP3、MP4控制芯片的更新换代和软件控制技术的更新，克服了很多难关，目前对于MLC闪存芯片
的架驽能力已经很成熟了，再加上MLC闪存生产技术的改进，因此目前很多厂家（包括IPOD）都采用MLC
闪存用于消费类数码产品的生产，尤其是大容量的数码产品，非它不可！
以上内容摘自 《SLC和MLC闪存nand flsah的区别和历史》 http://bbs.mydigit.cn/read.php?
tid=110565
飞凌OK6410开发板全新升级，标配1G超大容量NandFlash，让您的使用更加游刃有余。
市面上绝大多数6410开发板仍然只是支持SLC类型的NAND。我们经过努力，实现了MLC NAND的完美支
持。成为同价位开发板中唯一标配1GFlash的产品。包括wince系统在内的驱动软件经过改写，并严格测
试。使用MLC的NAND可大幅提高容量和产品性价比。
备注：强大的S3C6410处理器支持MLC NANDFLASH,而这个功能在S3C2440上是不支持的。MLC NAND已经得
到广泛应用，是未来的发展方向。
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以前只是知道FLASH分为NOR和NAND，没有注意过NAND还分很多种。今天看到飞凌的升级信息，就在
网上查了一下。评论不一，就拿出来和大家讨论一下，互相学习了。
Flash闪存是非易失性存储器，这是相对于SDRAM等存储器所说的。即存储器断电后，内部的数据仍
然可以保存。Flash根据技术方式分为Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash，而U盘和MP3中最常用的内存就
是Nand Flash。
Nand Flash也有几种，根据技术方式，分为SLC、MCL、MirrorBit等三种。SLC是Single level cell
的缩写，意为每个存储单元中只有1bit数据。而MLC就是Multi-Level-Cell，意为该技术允许2 bit的数
据存储在一个存储单元当中。而MirrorBit则是每个存储单元中只有4bit数据。
SLC的技术存储比较稳定，SLC的技术也最为成熟。然而MLC可以在一个单元中有2bit数据，这样同样大小
的晶圆就可以存放更多的数据，也就是成本相同的情况下，容量可以做的更大，这也是同样容量，MLC价
格比SLC低很多的原因。通常情况下相同容量的MLC和SLC，MLC的价格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。
区分SLC(停产)和MLC（现在主流，分新老制程，60NM 和56/50NM ）
1、看Flash的型号：根据Flash的命名规则，进行区分。
2、测试读写速度：SLC的非常快，MLC的很慢。
SLC闪存：即单层式储存 (Single Level Cell；SLC)，包括三星电子、Hynix、美光（Micron）以及
东芝都是此技术使用者
MLC闪存：多层式储存（Multi Level Cell；MLC)，目前有东芝、Renesas、三星使用，英飞凌
（Infineon）与Saifun Semiconductors合资利用NROM技术所共同开发的多位储存（Multi Bit Cell；
MBC）。
除了三星，Hynix等其他存储器制造商也在向MLC闪存迈进。虽然东芝凭借多年的技术积累而在MLC技
术上占据优势，但英特尔与美光科技的合资企业IM Flash也有能力结合英特尔MLC技术与美光的NAND闪存
，从而在MLC型NAND闪存领域迅猛发展。
MLC闪存技术并非没有不足，实际上，在采用先进工艺生产MLC闪存方面困难重重。随着闪存技术的
演进，在浮动栅(floating gate)中存储的电荷总量减少了，使得检测存储的信息变得更加困难，尤其是
对MLC芯片而言，它需要识别四个电压值，而非两个。尽管如此，据报道，东芝在70nm工艺中能够保证采
用与90nm技术相同的代码纠错方案。这显示该公司并没有放慢MLC技术缩放的步伐，最少是就现在而言。
对于我们消费者而言，最关心的就是产品的质量问题，因此，网上流传很多说法，好像只有使用SLC
闪存的产品才是质量好的产品，其实不尽然，产品的质量好坏第一个关节是采用的物料的好坏，第二个
关节是厂家是否在生产过程中偷工减料。这两者都是很重要的。再其次，就是产品的成熟程度，一般刚
推出来的产品一般都会存在一些不为人知的问题，只能靠以后的不断改进才能使产品日趋完善
随着MP3、MP4控制芯片的更新换代和软件控制技术的更新，克服了很多难关，目前对于MLC闪存芯片
的架驽能力已经很成熟了，再加上MLC闪存生产技术的改进，因此目前很多厂家（包括IPOD）都采用MLC
闪存用于消费类数码产品的生产，尤其是大容量的数码产品，非它不可！
以上内容摘自 《SLC和MLC闪存nand flsah的区别和历史》 http://bbs.mydigit.cn/read.php?
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※ 为中国嵌入式技术的传播和发展作出贡献
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