【转帖】花了三四天时间，讲nand flash实验基本看懂了，注释了main程序与大家分享

/**********************按键实验*********************************/
// 公司名称 ：飞凌嵌入式技术有限公司
// 描    述 ：nandflash
// 版    权 ：飞凌嵌入式技术有限公司
// 网    址 ：www.witech.com.cn
/***************************************************************/

/*
       本实验接口说明
*/
#include "include.h"

/*-----------------------函数声明----------------------------*/
void InitNandFlash(int info);
void cpy_bpage(void);
void add_bpage(unsigned int seq);

extern void Uart_Printf(char *fmt,...);
extern void Uart_Init(int baud);
extern void Uart_Select(int ch);

/*------------------------------------------------------------/
函数名称：        InitNandCfg
功能描述：        配置flash
传    参：        无
返 回 值：        无
-------------------------------------------------------------*/
static void InitNandCfg(void)
{
       
       rNFCONF = (TACLS<<12)|(TWRPH0<<8)|(TWRPH1<<4)|(0<<0);        
       rNFCONT = (0<<13)|(0<<12)|(0<<10)|(0<<9)|(0<<8)|(1<<6)|(1<<5)|(1<<4)|(1<<1)|(1<<0);
       //
}

/*------------------------------------------------------------/
函数名称：        WaitNFBusy
功能描述：        
传    参：        无
返 回 值：        static U32 stat&1
-------------------------------------------------------------*/
static U32 WaitNFBusy(void)        // 等待nand flash 的操作结束
{
       U8 stat;                                //因为nansh flash数据通道只有8bit
       
       WrNFCmd(QUERYCMD);                //QUERYCMD=0X70,将0x70写入NFCMD
                                                       //查看nand flash芯片的资料中的Command Sets
                                                       //0x70表示读nand flash的状态
       do
       {
               stat = RdNFDat();        //上面命令是读nandflash的状态，因此RdNFDat获得的是nandflash的状态。
       }
       while (!(stat&0x40));        //[6] busy:0  ready:1
       WrNFCmd(READCMD0);                //READCMD0=0
       return stat&1;    //注意0为操作成功.见datasheet34页表。
}

/*------------------------------------------------------------/
函数名称：        ReadChipId
功能描述：        读flash ID
传    参：        无
返 回 值：        static U32 id
-------------------------------------------------------------*/
// 读ID过程的时序图在K9F1G08U0A的datasheet中，第28和35页//
static U32 ReadChipId(void)
{        
       U32 id,k;
       
       NFChipEn();        //选中nandflash
       WrNFCmd(RdIDCMD);//读ID命令
       WrNFAddr(0);        //写入00h（根据datasheet）
       while(NFIsBusy());        //等待前一步完成
       id  = RdNFDat()<<8;        //define中规定：RdNFDat8(); for 8 bit nand flash,use byt access
       for(k=0;k<500;k++);        //
       id |= RdNFDat();        //从运行结果ID:ecda来看，可能是这边程序有点问题（ID指什么不明确）
       NFChipDs();                
       
       return id;
}

/*------------------------------------------------------------/
函数名称：        ReadStatus
功能描述：        读FLASH状态
传    参：        无
返 回 值：        static U16 stat
-------------------------------------------------------------*/
static U16 ReadStatus(void)
{
       U16 stat;
       
       NFChipEn();        
       WrNFCmd(QUERYCMD);                
       stat = RdNFDat();        
       NFChipDs();
       
       return stat;
}

/*------------------------------------------------------------/
函数名称：        EraseBlock
功能描述：        擦除 FLASH
传    参：        U32 addr
返 回 值：        U32 ~stat
-------------------------------------------------------------*/
//         地址输入（两个周期） datasheet第27页       //
U32 EraseBlock(U32 addr)
{
       U8 stat;

       addr &= ~0x3f;                        //addr=0000 0001 1000 0000
               
       NFChipEn();        
       WrNFCmd(ERASECMD0);                //ERASECMD0=0X60
       WrNFAddr(addr);                        //cycle1:8bit address=1000 0000
       WrNFAddr(addr>>8);                //cycle2:8bit address=0000 0001
       WrNFCmd(ERASECMD1);                //ERASE confirm cmd
       stat = WaitNFBusy();        //等待擦除完成
       NFChipDs();
       
       return ~stat;
}

/*------------------------------------------------------------/
函数名称：        ReadPage
功能描述：        
传    参：        U32 addr, U8 *buf
返 回 值：        无
-------------------------------------------------------------*/
//                读取block6中的page25   参考datasheet30页                 //
void ReadPage(U32 addr, U8 *buf)
{
       U16 i;
       
       NFChipEn();
       WrNFCmd(READCMD0);                //READCMD0=0
       WrNFAddr(0);                        //
       WrNFAddr(0);                        //因为读的是一个page，所以col addr=0
       WrNFAddr(addr);                        //
       WrNFAddr(addr>>8);                //block6，page25的地址
       WrNFCmd(READCMD1);                //READCMD1=0X30
       InitEcc();                                //初始化ECC
       WaitNFBusy();                        //
       for(i=0; i<2048; i++)
               buf = RdNFDat();        //将2k的内容读出
       NFChipDs();
}

/*------------------------------------------------------------/
函数名称：        WritePage
功能描述：        
传    参：        U32 addr, U8 *buf
返 回 值：        U32 ~stat
-------------------------------------------------------------*/
/*【Nand Flash中的特殊硬件结构】
1.页寄存器（Page Register）：由于Nand Flash读取和编程操作
来说，一般最小单位是页，所以，nand flash在硬件设计时候，就考虑到
这一特性，对于每一片，都有一个对应的区域，专门用于存放，将要写入
到物理存储单元中去的或者刚从存储单元中读取出来的，一页的数据，这
个数据缓存区，本质上就是一个buffer，但是只是名字叫法不同，datasheet
里面叫做data Register，实际理解为页缓存,大小应该是等于1个page
恰当些。而正是因为有些人不了解此内部结构，才容易产生之前遇到的某人
的误解，以为内存里面的数据，通过Nand Flash的FIFO，写入到Nand Flash
里面去，就以为立刻实现了实际数据写入到物理存储单元中了。而实际上，
只是写到了这个页缓存中，只有等你发了对应的编程第二阶段的确认命令0x10
之后，实际的编程动作才开始，才开始把页缓存中的数据，一点点写到物理存
储单元中去。*/
//                        参考datasheet的第23页                        //
U32 WritePage(U32 addr, U8 *buf)
{
       U32 i, mecc;
       U8 stat, tmp[7];
       
       
       NFChipEn();                                //
       WrNFCmd(PROGCMD0);                //page program 命令        
       WrNFAddr(0);                        //        
       WrNFAddr(0);                        //        
       WrNFAddr(addr);                        //
       WrNFAddr(addr>>8);                //要写入的page地址        

       InitEcc();        //reset mecc and secc
       MEccUnlock();                        //unlock main data area ecc generation
       for(i=0; i<512; i++)        //具体要写入页的数据写入main data area
               WrNFDat(buf);        //将数据输入NAND FLASH的data register中
                                                       //或者可以理解为写入page的缓冲区
                                                       //只有在发送确认命令0x10之后，该内容才被写入物理存储单元。
       MEccLock();                                //unlock it
       mecc = RdNFMEcc();                //mecc赋值等于MAIN DATA AREA ECC0 STATUS ERGISTER的内容        
               
       tmp[0] = mecc&0xff;                //[7:0]
   tmp[1] = (mecc>>8)&0xff;//[15:8]
   tmp[2] = (mecc>>16)&0xff;//[23:16]
   tmp[3] = (mecc>>24)&0xff;//[31:24]
   tmp[5] = 0xff;        //mark good block

       
               
               //WrNFDat(0xff);        //2048，坏块标志//此时主数据区已经lock了。如果不等于0xff就说明是坏块
                                             //sumsung规定在block第一和第二个page的spare area的第一个字节，如果不等于0xff就说明是坏块。
           SEccUnlock();        //校验码写入spare data area
               WrNFDat(0xff);        //改到这里来运行也一样，应该是没做坏块的判断吧？
               WrNFDat(tmp[0]);//ECC校验码
               WrNFDat(tmp[1]);
               WrNFDat(tmp[2]);
               WrNFDat(tmp[3]);//同上，也在页缓冲区
               SEccLock();


       WrNFCmd(PROGCMD1);        //确认命令，将以上数据写入物理存储器
       stat = WaitNFBusy();
       NFChipDs();
       
       return ~stat;
       
                       
}

/*------------------------------------------------------------/
函数名称：        nandMain
功能描述：        入口函数
传    参：        无
返 回 值：        无
-------------------------------------------------------------*/
void nandMain(void)
{
       U16 ID,i;
       U8 buf[512];
       U32 NFBlockNO=6;
       U32 NFPagesNO = 25;                                         //block6,page25
       U32 status;
       U32 BlockPages;

       BlockPages =(NFBlockNO<<6)+NFPagesNO;         //BlockPages=000110011001
                                                                                       //左移6位是因为1Block=64Page
                                                                                       //因此block6的起始地址位：6*64=6<<6

       Uart_Init(115200);
       Uart_Printf("\nthe main is running\n");

       InitNandCfg();                    //初始化函数
       ID=ReadChipId();                        //ID=ECf1 ;;ID=ecda
       Uart_Printf("\nnand flash`s ID is:%x\n",ID);
 

   if(EraseBlock(BlockPages)&0x1==TRUE)
   {  
               Uart_Printf("\nblock %d is erased\n",NFBlockNO);

               ReadPage(BlockPages,buf); //读page中的内容

               Uart_Printf("\n/***********************擦除之后flash中的数据****************/\n");
               for(i=0; i<512; i++)
               Uart_Printf("%4x", buf);
       

               Uart_Printf("\n/***********************应写入数据****************/\n");