请教咸老师书中的问题

哈哈！不用谢我，我赚稿费，你花钱买书，正所谓各取所需。你感觉有用处，这是我的欣慰啊。
   1、MS1250D225P保护元件，提供IGBT反向电流的通路，抑制反压的幅度，起到保护IGBT模块的作用。如图中所示，该器件内含二极管一只和电容器一只。其电容有较大的容量，如1uF。该器件为三引脚元件，可由电阻测量法，测出内部电阻值；可用电容表从两引脚测出内部电容值。简言之，用万用表和电容表测量其好坏。
   2、16页，U、V、W引线没画对，是我校对不细，希望再版时改正吧。
   3、并联在储能电容两端的电阻是放电电阻，但是停电后电容的放电电阻。停电后，将电容上所储存的电荷进行释放，这主要是出于安全考虑，以防人体触及造成电击。不牵扯对电容的保护，因阻值较大，也形不成对串联电容的均压保护作用。

非常抱歉,VT22的符号有错，在校对清样时,已经改过来，但印刷时还是错了……类似的错误可能还有,有时图形有小错,但文字叙述多半是对的,请注意与文字对照！VT22实为NPN型三极管，发射极箭头向外，下部为发射极。现图形中误为PNP型三极管，而且将集电机误为发射极！
   VT22与VT3二管构成复合放大器，等效为一只NPN型三极管，将振荡器3脚输出的矩形脉冲进行放大后，驱动可控硅。
   振荡器，为时基电路，接成多谐振荡电路，其引脚与功能应该与NE555相似。输出振荡频率可能达kHz级。CPU输出的控制信号经由DPH2，控制复合放大器的导通与截止。上电期间，复合放大器处于截止状态，主电路储能电容经由充电电阻进行充电，充电接近结束后，变频器开关电源起振，CPU检测主回路直流电压达一定幅度后，输出信号使DPH2接通，复合放大器工作，将振荡器的信号由VT22、VT3进行功率放大后，“触发”可控硅导通，变频器的整流电路接成三相全压整流电路，变频器进行待机状态。
   可控硅的触发信号，其实是“胡触一气”的，并不是常规意义上的移相触发或过零触发。很高频率的触发脉冲随机性加至可控硅的栅极，使其在承受正向电压时，即刻导通，可控硅导通时，形同普通整流二极管。
   只要使可控硅的栅、阴极流通一定量的（正向）直流电流，这个电流可称之为触发电流，可控硅就能导通。假定一直通以固定直流，可控硅便会一直导通。该电路通以频率脉冲，只是为了降低触发功耗而已。
   DPH2光耦合器，如同一只命令开关，受CPU指令的控制，进而控制复合放大器的通断，进而控制可控硅的触发电流通路，实现对可控硅的通/断控制，其实是进行上电期间对直流回路的储能电容进行缓充电控制。

   如果VT22如图中所示，为一只PNP型三极管，与VT3构成PNP型复合放大器，电路也是成立的。但其导通与截止，便不再受DPH2的控制了。
   将VT22换成发射极接地的NPN型三极管，复合放大器便受DPH2的控制了。

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