高压 IGBT的驱动器应用研究

绝缘栅双极型晶体管 igbt( insulated gate bipolar transistor)是由bj t和 mosfet组成的复合全控
型电压驱动型电力电子器件. igbt作为新型器件在 1990 年初开发 ,由于其电压和电流等级的不断提高 ,
作为高频开关器件迅速地被应用于大容量逆变器[1 ,2 ]
.在作者所研制的交流传动轻轨车用静止辅助电源
中 ,采用了 2 500 v 和 3 300 v 的高压 igbt模块.一般高压 igbt电压等级为 1 700 v、 2 500 v、 3 300 v
及 3 300 v 以上级.研究表明 ,要保证 igbt工作的可靠性 ,其驱动电路起着至关重要的作用.
一般对 igbt驱动保护电路的基本要求主要有以下几点:
①提供适当的正向和反向输出电压 ,使 igbt能可靠地开通和关断;
②提供足够大的瞬时功率或瞬时电流 ,使 igbt能及时迅速建立栅控电场而导通;
③尽可能小的输入输出延迟时间 ,以提高工作效率;
④足够高的输入输出电气隔离性能 ,使信号电路与栅极驱动电路绝缘;
⑤具有灵敏的过流保护能力.
目前在实际应用中 ,选用驱动与保护功能集成一体的 igbt专用模块比较方便.本文着重绍瑞士 ctο
concept 技术有限公司生产的高压 igbt的专用集成驱动器(scal e)的应用
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