充电接触器的控制电路：虽然省掉了充电接触器，但工作原理还是一样的，只不过控制电路有所差异。变频器上电期间，先由D1∽D6整流，R限流为C1、C2充电，在充电过程接近结束时，CPU输出SCR1∽SCR3三只可控硅的开通指令，控制电路强制三只可控硅导通，由D1、D2、D3、R构成的上电预充电回路使用作用，SCR1∽SCR3与D4、D5、D6构成三相整流桥，此时可控硅处于全导通状态下，等效于整流二极管。
可控硅的开通需要两个条件：1、阳极和阴极之间承受正向电压；2、K、G之间形成触发电流回路。电路接在交流输入电源的三个端子上，提供单向可控整流，在三相交流电的三个正半波电压作用期间，若触发电流同时形成，则三只可控硅就能被开通。第一个条件已经自然形成，控制其开通只要提供第二个条件就可以了。
简单点说，只要在可控硅承受正向电压期间——在交流电压过零处，为可控硅提供一个触发电流（脉冲或直流均可），可控硅即可在交流电的正半波期间良好导通，对输入交流电压进行整流（同二极管一样）。最简单的触发电路，是经一只电阻从阳级引入到G极，在交流电正半波期间（过零点后），为可控硅同步引入触发电流，使可控硅开通。
如东远300kW变频器，主电路形式同图，而触发电路相对简单：可控硅触发控制电路一
该图为可控硅触发电路一电路之一，另两路触发电路是一样的。两控硅阳极、阴极两端并联的R45、C30、C31等元件为尖峰电压吸取网络，为可控硅提供过压保护。KA2触点、D15、R44、24R形成触发电流通路，D15的作用是将输入电压半波整流，避免可控硅G、K间承受反向触发电压/电流的冲击，R44、24R为限流电阻，限制峰值触发电流，保护可控硅的安全，R43为消噪电阻，增加可控硅工作的可靠性。
当CPU发出可控硅接通指令时，继电器KA2得电闭合，输入正半波电压，经D15整流，R44、24R限流，流入可控硅的G极，由K极流出，形成触发电流通路，可控硅开通。电路中的可控硅并不是处于调压的工作区域，导通角最大，处于“全导通整状态”，好像是一只开关器件，只处于导通和截止两个状态，没有移相（调压）第三种状态。这是需要注意的地方。因而控制电路与常规移相控制电路有所不同，相对简单一些。再稍复杂一点的可控硅控制电路，如台达37kW变频器可控硅的触发电路，见下图：可控硅触发控制电路二
由开关电源的一个独立的供电绕组整流滤波后，作为可控硅触发电路的供电电源。控制电路由NE555时基电路、DPH2、DQ22、DQ3触发脉冲通/断电路，D、R三路触发流回路构成。开关电源工作后，NE555时基电路接成多谐振振荡器即得电工作，从3脚输出的振荡脉冲，是否送入后级三个触发回路，取决于CPU的指令控制。CPU的指令信号经由控制排线端子DJ8的24脚引入到光电耦合器DPH2的输入侧。当光耦输出侧三极管导通时，NE555振荡器的脉冲信号经三极管DQ22、DQ3送入后级D、R触发电路回路。在CPU发出可控硅开通指令后，DPH2、DQ22、DQ3三器件一直处于导通状态，将触发脉冲一直加于三只可控硅的G、K上，峰值触发电流约为100mA。
另外，在松下、富士小功率变频器机型中，还采用另一形式的主电路结构，来完成对主电路电容器的初始充电控制，这是型号为7MBR35SD120一体化功率模块的内部电路结构图。电路见上图：电路的不同之处在于，在三相整流桥之后，增加了一只可控器器件，在端子21、26引脚上须并联充电电阻，在主回路电容上建立起一定的充电电压后，从端子25、26输入触发电流，则可控硅导通，变频器进入待机工作状态。
控制电路一般是由开关变压器的一个独立的24V绕组，取得控制电路的供电，以取得具有“悬浮地”的控制用电。控制电路多为一振荡电路，提价可控硅器件的脉冲触发电流，振荡电路也不是常规的移相触发电路，而提供高频率/密度的随机触发脉冲，令可控硅处于全导通状态下，此处的可控硅，已高密度触发触冲作用下，已仿佛一只“扳到接通位置”的开关了。这种机型的触发电路，手头并未有实际测绘电路，只能根据电路结构画出简图，以供参考。
7MBR35SD120一体化功率模块和7MBR35SD120S模块的可控硅触发电路
