发表于：2009/4/8 22:24:50
#0楼
双向反并联可控硅,单个硅芯是6600A,整个组合元件的最大电流是6600X2=13200A,为了抑制电压上升率,要在可控硅两端加阻容回路进行保护,这样大的可控硅,不知如何选取,望各位朋友指点,
我目前选择是:电容C(1微法,1.6KV) 电阻(20欧.20W)这样有什么问题吗????
我目前选择是:电容C(1微法,1.6KV) 电阻(20欧.20W)这样有什么问题吗????