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igbt管的保护

803
lch02231
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发表于:2009/3/15 11:31:40
#0楼
求教电机驱动G60N90的保护电路。我的G60N90经常坏,不知为什么
4670
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发表于:2009/3/15 12:39:43
#1楼
一种新的IGBT驱动保护电路
摘要:针对IGBT驱动保护问题,提出了一种新的驱动保护电路.采用555集成电路作延时降压电路.电路具有状态检测功能、延时缓降栅压功能和降压功能等功能.此电路的特点是简单,定时精度高,可靠性高,反应快.

   在电力电子装置中,IGBT与晶闸管相比,具有许多优点。因此倍受工程师们的青睐.然而,IGBT的可靠性与其驱动电路和保护电路的优劣有直接关系.设计出高性能的IGBT驱动保护电路,一直是工程师们思考的课题之一.

1 驱动保护电路的要求
   IGBT的驱动要求与器件本身的静动态特性有直接联系,特别是栅极的驱动电阻、栅极的正偏压、负偏压要与器件特性相符。IGBT的保护要求也应根据器件特性来设计,做到在IGBT损坏之前应立即将IGBT保护关断.同时将短路电路电流和保护关断I—V运行轨迹限制在IGBT的短路保护安全工作之内。
   当IGBT短路时,由于主回路电流变化率较大,在主回路上会感应出高压,此压有时会超出IGBT的安全电压范围而导致器件失效 .因此,应采用软关断的方法.IGBT允许过流的时间一般为5-20s,且不同型号的IGBT具有不同的允许过流时间和过流倍数,关断电压与关断时间也应被设计得非常精确.这些都要求在设计软关断电路时,要给予充分地考虑.其要求如下:
(1)能动态地、适时地向IGBT提供恰当的正向栅压,当漏源电压VCE一定时,VCE与VEG 成反向变化.当发生短路时,降低VEG从而延长器件的短路承受时间.
(2)能向IGBT提供恰当的负向栅压.为使IGBT在关断过程中提高抗干扰能力,应有一定的负压.
(3)在IGBT栅极回路中串联适当的栅极电阻,以改善VEG的前后沿陡度和防止振荡.VEG的前后沿陡度应是前沿愈陡愈好,而后沿应有一定的陡度,并非愈陡愈好.

2 驱动保护电路结构及参数
   根据上述IGBT的驱动保护电路的要求,IGBT驱动保护电路如图1.图1中,T1、T2、T3、T4和T5是90系列的三极管,T1、T2、T3和T4采用9013,T5采用9012;T1、T4和T5构成IGBT驱动放大电路;R3、T1和T4构成IGBT导通驱动电路,其中R3为100Ω/1/8W;T5、R6、R11和DZ2构成IGBT截止保护电路,其中R6为1KΩ/1/8W,R9为330Ω/1/8W,DZ2为1W5V的稳压管.IC1选用高速光耦6N136,它的信号传输延迟小于75ns,特别适合于高频电路,其作用是实现控制电路与主电路的隔离;IC2采用555集成电路,它和R8、R9、R12、R13、R14、C3、T6、T7构成延时双稳电路,其中R8为1kΩ/1/8W,R9为2kΩ/1/8W,R12、R13、R14为1kΩ/1/8W, C3采用高精度的钽电容,为1u/50v,以提高定时精度;T3和R1组成降压保护电路,其中DZ3采用1W10V的稳压管,T6、T7为9013,R10为100Ω/1/8W;T2、R5、D2和C2构成缓降压保护电路,其中R5为100kΩ/1/8W, D2为1N4148, C2为1u/50V的电解电容;R1、R2、C1、R4、D1和DZ1组成状态识别电路,其中R1为100KΩ/1/8W,R2为50Ω/1/8W的金属膜电路,C1为1u/50v的电解电容,R4为100Ω/1/8w的金属膜电阻,D1为1N4148,DZ1为1W8.2V的稳压管.

3 电路工作原理
3.1正常工作状态时工作原理
   当控制电路送来低电平时,光耦IC1导通,T1导通.经过R3使T4导通,经由R7,向IGBT提供+15V的栅极驱动电压,IGBT快速导通.同时,C1通过R2充电,C1的端电压按指数规律上升,但此时,IGBT导通,IGBT的CE端的饱和压降下降,通过D1的钳位作用,C1的端电压不会超过DZ1的击穿电压,DZ1不导通,T3截止,降压电路不工作.同时T6截止,T7导通,C3的端电压为零电平,故555输出端3脚为低电平,T2截止,缓降压电路不工作.
   当控制电路送来高电平时,光耦IC1关断,T1和T4截止,IGBT截止.此时,+15V经由R6和R11使T5导通,DZ2上的-5V电压施加于IGBT的GE端,使IGBT可靠关断.同时,由于C1的端电压为零,DZ1不导通,T6截止,T7导通,故IC2的3端输出仍为低电平,T2、T3都不导通.

附件
图1IGBT的驱动保护电路

3.2短路故障状态时的工作原理
   当主电路短路时,IGBT的CE端的电压迅速升高,此时D1反向关断,C1端电压迅速上升.经t时间后,其上升电压由下式求得:
附件
式(1)中,τ=R2×C1 ,单位为秒;
   当C1端电压大于DZ1的击穿电压时,DZ1导通,T3导通,DZ3导通,使IGBT的栅电压由原来的+15V下降到约+10V.此时,如果故障现象消失,D1导通,C1端电压下降,DZ1截止,T3截止,IGBT的栅电压由+10V恢复到+15V,电路恢复正常工作;如果此时故障没有消失,T6导通,T7截止,C3开始充电,端电压上升,其上升电压由下式求得:
附件
式(2)中,τ=R14×C3,单位为秒;
   一旦设定的时间到,IC2输出端输出高电平,经过R9推动T2导通,C2放电,B点电位缓慢下降,T4缓慢地由导通变为截止.同时T5导通,IGBT的栅电压变为-5V,IGBT可靠关断,由于555集成电路工作在双稳状态,其一旦翻转输出高电平,将始终维持对IGBT的关断,直至故障被消除,从而增加了系统的抗干扰能力,保证了系统的可靠工作.

4 结论
   综上所述,此电路具有以下特点:

采用单电源+15V,使电路结构简化.
该驱动电路元件较少,可靠性高,且信号传输时问短.反应快.
由于采用了555集成电路和高精度的钽电容,故定时精度高,且可按照器件的参数实时灵活地调整定时时间.
该短路保护电路具有状态检测功能、延时缓降栅压功能和降压功能等功能.
优秀是一种习惯!
1815
qijg
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发表于:2009/3/15 16:25:16
#2楼
学习了
1091
茄子李
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发表于:2009/3/24 0:30:21
#3楼
有点晕!!呵呵,刻苦一下!!

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