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工控论坛首页 → 单片机论坛 → 浏览主题：可控硅的阻容吸收问题

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可控硅的阻容吸收问题

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bdblacksun

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发表于：2009/2/9 11:58:28

#0楼

我用两支单向可控硅并联组成一个双向可控硅，带的是感性负载。1200V/15A的单向可控硅两支，实际过电流要小。有个朋友给出的阻容吸收是电阻10K/5W 电容式474.可在实际应用中电阻很烫手，而且可控硅还是频频烧掉。请高手们指点。

【方案】台达运动控制解决方案成功应用于机床取出臂实现高产能的快速生产

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发表于：2009/2/9 14:44:13

#1楼

你把电阻加大一个型号试一试！

优秀是一种习惯！

【方案】奥普特—手机MIC贴合定位

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甘陵至尊

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发表于：2009/2/9 23:14:18

#2楼

实际的过电流是多少

心底无私天地宽

【方案】LABVIEW通过BCNet-S7MPI 连接西门子S7-300

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kewen520

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发表于：2009/2/10 2:30:22

#3楼

我也想知道该如何

【方案】建设“智慧办税厅”，华北工控可提供自助办税终端、远程办税系统平台硬件方案

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yongjiou

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发表于：2009/2/13 20:17:05

#4楼

烧掉和击穿是两回事.
加阻容是防止电感的感应电压和电源电压叠加击穿可控硅, 而烧毁是电流过大超过负荷所致.

【方案】无锡北辰细纱生产管理系统介绍

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ahljj

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发表于：2010/7/13 15:41:35

#5楼

有没有相关的选型计算公式啊

【方案】台达有源前端助力某油田节能降耗

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