发表于：2008/9/4 13:52:00
#0楼
本文摘自225e电子家园
www.225e.cn
1.什么是bom
2.什么是 ldo
3.什么是esr
4.什么是ttl
5.什么是mos、nmos、pmos、cmos
6.什么是oc、od
7.什么是线或逻辑与线与逻辑
8.什么是推挽结构
9.什么是mcu、risc、cisc、dsp
10.什么是fpga和asic
11.fpga 与 cpld 的异同点
1.bom(billofmaterial),是制造业管理的重点之一,简单的定义就是“记载产品组成所需使用材料的表”。以一个新产品的诞生来看:首先是创意与可行性研究的初期过程,接下来的过程就是初步的工程技术分析与原型产品的设计,等到原型产品比较稳定后,经过自制或外购分析(makeorbuyanalysisanddecision)后就会产生第一版的工程料表(ebom,engineeringbom)。到正式量产之前,第一版的生产料表(pbom,productionbom)必须要先完成,以便企业内的相关部门有所遵循。在此之后,就进入了正常的例行维护阶段。
2. 什么是 ldo（低压降）稳压器?
ldo 是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 fet，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mv 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的ldo（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 pnp。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mv 左右；与之相比，使用 npn 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2v 左右。负输出 ldo 使用 npn 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 ldo 的 pnp设备类似。更新的发展使用 cmos 功率晶体管，它能够提供最低的压降电压。使用 cmos，通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 on 电阻造成的。如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。
3.什么是esr
电容的等效串联电阻，越低的话q值越小。
4.什么是ttl
transistor-transistor logic晶体管-晶体管逻辑电路 (双极性型电路,指包含电子和空穴两种极性的载流子)
5.什么是mos、nmos、pmos、cmos
mos(metal-oxidesemiconductor 金属-氧化物半导体场效应管,单极性)有增强型和耗尽型两种,主要是以下三类
p沟道增强型管构成的pmos电路
n沟道增强型管构成的nmos电路
pmos和nmos构成的cmos(互补mos,complementary metal-oxide-semiconductor transistor 互补型金属氧化物半导体)电路
6.什么是oc、od
集电极开路门(集电极开路 oc 或源极开路 od)
open-drain是漏极开路输出的意思，相当于集电极开路(open-collector)输出，即ttl中的集电极开路（oc）输出。一般用于线或、线与，也有的用于电流驱动。
open-drain是对mos管而言，open-collector是对双极型管而言，在用法上没啥区别。
开漏形式的电路有以下几个特点：
a. 利用外部电路的驱动能力，减少ic内部的驱动。 或驱动比芯片电源电压高的负载.
b.可以将多个开漏输出的pin，连接到一条线上。通过一只上拉电阻，在不增加任何器件的情况下，形成“与逻辑”关系。这也是i2c，smbus等总线判断总线占用状态的原理。如果作为图腾输出必须接上拉电阻。接容性负载时，下降延是芯片内的晶体管，是有源驱动，速度较快；上升延是无源的外接电阻，速度慢。如果要求速度高电阻选择要小，功耗会大。所以负载电阻的选择要兼顾功耗和速度。
c. 可以利用改变上拉电源的电压，改变传输电平。例如加上上拉电阻就可以提供ttl/cmos电平输出等。
d. 开漏pin不连接外部的上拉电阻，则只能输出低电平。一般来说，开漏是用来连接不同电平的器件，匹配电平用的。
正常的cmos输出级是上、下两个管子，把上面的管子去掉就是open-drain了。这种输出的主要目的有两个：电平转换和线与。
由于漏级开路，所以后级电路必须接一上拉电阻，上拉电阻的电源电压就可以决定输出电平。这样你就可以进行任意电平的转换了。
线与功能主要用于有多个电路对同一信号进行拉低操作的场合，如果本电路不想拉低，就输出高电平，因为open-drain上面的管子被拿掉，高电平是靠外接的上拉电阻实现的。（而正常的cmos输出级，如果出现一个输出为高另外一个为低时，等于电源短路。）
open-drain提供了灵活的输出方式，但是也有其弱点，就是带来上升沿的延时。因为上升沿是通过外接上拉无源电阻对负载充电，所以当电阻选择小时延时就小，但功耗大；反之延时大功耗小。所以如果对延时有要求，则建议用下降沿输出。
7.什么是线或逻辑与线与逻辑？
在一个结点(线)上, 连接一个上拉电阻到电源 vcc 或 vdd 和 n 个 npn 或 nmos 晶体管的集电极 c 或漏极 d, 这些晶体管的发射极 e 或源极 s 都接到地线上, 只要有一个晶体管饱和, 这个结点(线)就被拉到地线电平上.
因为这些晶体管的基极注入电流(npn)或栅极加上高电平(nmos), 晶体管就会饱和, 所以这些基极或栅极对这个结点(线)的关系是或非 nor 逻辑. 如果这个结点后面加一个反相器, 就是或 or 逻辑. 如果用下拉电阻和 pnp 或 pmos 管就可以构成与非 nand 逻辑, 或用负逻辑关系转换与/或逻辑.
这些晶体管常常是一些逻辑电路的集电极开路 oc 或源极开路 od 输出端. 这种逻辑通常称为线与/线或逻辑, 当你看到一些芯片的 oc 或 od 输出端连在一起, 而有一个上拉电阻时, 这就是线或/线与了, 但有时上拉电阻做在芯片的输入端内.
顺便提示如果不是 oc 或 od 芯片的输出端是不可以连在一起的, 总线 bus 上的双向输出端连在一起是有管理的, 同时只能有一个作输出, 而其他是高阻态只能输入.
8.什么是推挽结构
一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止.要实现线与需要用oc(open collector)门电路 .如果输出级的有两个三极管，始终处于一个导通、一个截止的状态，也就是两个三级管推挽相连，这样的电路结构称为推拉式电路或图腾柱（totem-pole）输出电路（可惜，图无法贴上）。当输出低电平时，也就是下级负载门输入低电平时，输出端的电流将是下级门灌入t4；当输出高电平时，也就是下级负载门输入高电平时，输出端的电流将是下级门从本级电源经 t3、d1 拉出。这样一来，输出高低电平时，t3 一路和 t4 一路将交替工作，从而减低了功耗，提高了每个管的承受能力。又由于不论走哪一路，管子导通电阻都很小，使rc常数很小，转变速度很快。因此，推拉式输出级既提高电路的负载能力，又提高开关速度。供你参考。
是两个参数相同的三极管或mosfet,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小 效率高。
输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。
推挽电路是两不同极性晶体管输出电路无输出变压器（有otl、ocl等）。
是兩個參數相同的三極管或mosfet,以退晚方式存在於電路中,各負責正負半周的波形放大任務
9.什么是mcu、risc、cisc、dsp
mcu(micro controller unit)，又称单片微型计算机(single chip microcomputer)，简称单片机，是指随着大规模集成电路的出现及其发展，将计算机的cpu、ram、rom、定时数器和多种i/o接口集成在一片芯片上，形成芯片级的计算机。mcu按其存储器类型可分为mask(掩模)rom、otp(一次性可编程)rom、flash rom等类型。mask rom的mcu价格便宜，但程序在出厂时已经固化，适合程序固定不变的应用场合；falsh rom的mcu程序可以反复擦写，灵活性很强，但价格较高，适合对价格不敏感的应用场合或做开发用途；otp rom的mcu价格介于前两者之间，同时又拥有一次性可编程能力，适合既要求一定灵活性，又要求低成本的应用场合，尤其是功能不断翻新、需要迅速量产的电子产品。
risc，精简指令集计算机，指的是cpu指令集的一种。risc指令集的每条指令简单，执行的动作更少，但整体的时钟速度可以很高，通常可以提高cpu性能。
cisc，复杂指令集计算机，指的是另一种cpu指令集。cisc指令集的每条指令复杂，功能丰富，相对于risc指令集，执行同一个功能所需的指令更少，而执行每条指令的时间会更长。
dsp（digital singnal processor）是一种独特的微处理器，是以数字信号来处理大量信息的器件。其工作原理是接收模拟信号，转换为0或1的数字信号，再对数字信号进行修改、删除、强化，并在其他系统芯片中把数字数据解译回模拟数据或实际环境格式。
dsp芯片，也称数字信号处理器，是一种特别适合于进行数字信号处理运算的微处理器具，其主机应用是实时快速地实现各种数字信号处理算法。根据数字信号处理的要求，dsp芯片一般具有如下主要特点：
（1）在一个指令周期内可完成一次乘法和一次加法；
（2）程序和数据空间分开，可以同时访问指令和数据；
（3）片内具有快速ram，通常可通过独立的数据总线在两块中同时访问；
（4）具有低开销或无开销循环及跳转的硬件支持；
（5）快速的中断处理和硬件i/o支持；
（6）具有在单周期内操作的多个硬件地址产生器；
（7）可以并行执行多个操作；
（8）支持流水线操作，使取指、译码和执行等操作可以重叠执行。
当然，与通用微处理器相比，dsp芯片的其他通用功能相对较弱些。
10.什么是fpga和asic
fpga是可编程asic。
asic:专用集成电路，它是面向专门用途的电路，专门为一个用户设计和制造的。
根据一个用户的特定要求，能以低研制成本，短、交货周期供货的全定制，半定制集成电路。与门阵列等其它asic(application specific ic)相比，它们又具有设计开发周期短、设计制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点。
11.fpga 与 cpld 的异同点
a.逻辑单元的粒度不一样，设计灵活性不同。fpga逻辑单元的粒度比cpld小，因此设计更为灵活。
b.fpga芯片的逻辑门密度比cpld芯片高。
c.cpld的内连接采用交叉开关结构，其内连率很高，内部连接长度不会累积。fpga采用有限的布线线段连接内部各部件，内部连接长度会产生积累，因此需要人工布局布线来优化速度和面积。
d.cpld 的布线结构决定了它的时序延时是均匀和可预测的，即在设计输入不变的情况下，每次布局布线后其时序延时是一定的。fpga分段式布线结构导致了每次布局布线后延时是不一样的。
e.cpld 更适合于完成各类算法和组合逻辑，而fpga 更适合于完成时序较多的逻辑电路。
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2.什么是 ldo
3.什么是esr
4.什么是ttl
5.什么是mos、nmos、pmos、cmos
6.什么是oc、od
7.什么是线或逻辑与线与逻辑
8.什么是推挽结构
9.什么是mcu、risc、cisc、dsp
10.什么是fpga和asic
11.fpga 与 cpld 的异同点
1.bom(billofmaterial),是制造业管理的重点之一,简单的定义就是“记载产品组成所需使用材料的表”。以一个新产品的诞生来看:首先是创意与可行性研究的初期过程,接下来的过程就是初步的工程技术分析与原型产品的设计,等到原型产品比较稳定后,经过自制或外购分析(makeorbuyanalysisanddecision)后就会产生第一版的工程料表(ebom,engineeringbom)。到正式量产之前,第一版的生产料表(pbom,productionbom)必须要先完成,以便企业内的相关部门有所遵循。在此之后,就进入了正常的例行维护阶段。
2. 什么是 ldo（低压降）稳压器?
ldo 是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 fet，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mv 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的ldo（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 pnp。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mv 左右；与之相比，使用 npn 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2v 左右。负输出 ldo 使用 npn 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 ldo 的 pnp设备类似。更新的发展使用 cmos 功率晶体管，它能够提供最低的压降电压。使用 cmos，通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 on 电阻造成的。如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。
3.什么是esr
电容的等效串联电阻，越低的话q值越小。
4.什么是ttl
transistor-transistor logic晶体管-晶体管逻辑电路 (双极性型电路,指包含电子和空穴两种极性的载流子)
5.什么是mos、nmos、pmos、cmos
mos(metal-oxidesemiconductor 金属-氧化物半导体场效应管,单极性)有增强型和耗尽型两种,主要是以下三类
p沟道增强型管构成的pmos电路
n沟道增强型管构成的nmos电路
pmos和nmos构成的cmos(互补mos,complementary metal-oxide-semiconductor transistor 互补型金属氧化物半导体)电路
6.什么是oc、od
集电极开路门(集电极开路 oc 或源极开路 od)
open-drain是漏极开路输出的意思，相当于集电极开路(open-collector)输出，即ttl中的集电极开路（oc）输出。一般用于线或、线与，也有的用于电流驱动。
open-drain是对mos管而言，open-collector是对双极型管而言，在用法上没啥区别。
开漏形式的电路有以下几个特点：
a. 利用外部电路的驱动能力，减少ic内部的驱动。 或驱动比芯片电源电压高的负载.
b.可以将多个开漏输出的pin，连接到一条线上。通过一只上拉电阻，在不增加任何器件的情况下，形成“与逻辑”关系。这也是i2c，smbus等总线判断总线占用状态的原理。如果作为图腾输出必须接上拉电阻。接容性负载时，下降延是芯片内的晶体管，是有源驱动，速度较快；上升延是无源的外接电阻，速度慢。如果要求速度高电阻选择要小，功耗会大。所以负载电阻的选择要兼顾功耗和速度。
c. 可以利用改变上拉电源的电压，改变传输电平。例如加上上拉电阻就可以提供ttl/cmos电平输出等。
d. 开漏pin不连接外部的上拉电阻，则只能输出低电平。一般来说，开漏是用来连接不同电平的器件，匹配电平用的。
正常的cmos输出级是上、下两个管子，把上面的管子去掉就是open-drain了。这种输出的主要目的有两个：电平转换和线与。
由于漏级开路，所以后级电路必须接一上拉电阻，上拉电阻的电源电压就可以决定输出电平。这样你就可以进行任意电平的转换了。
线与功能主要用于有多个电路对同一信号进行拉低操作的场合，如果本电路不想拉低，就输出高电平，因为open-drain上面的管子被拿掉，高电平是靠外接的上拉电阻实现的。（而正常的cmos输出级，如果出现一个输出为高另外一个为低时，等于电源短路。）
open-drain提供了灵活的输出方式，但是也有其弱点，就是带来上升沿的延时。因为上升沿是通过外接上拉无源电阻对负载充电，所以当电阻选择小时延时就小，但功耗大；反之延时大功耗小。所以如果对延时有要求，则建议用下降沿输出。
7.什么是线或逻辑与线与逻辑？
在一个结点(线)上, 连接一个上拉电阻到电源 vcc 或 vdd 和 n 个 npn 或 nmos 晶体管的集电极 c 或漏极 d, 这些晶体管的发射极 e 或源极 s 都接到地线上, 只要有一个晶体管饱和, 这个结点(线)就被拉到地线电平上.
因为这些晶体管的基极注入电流(npn)或栅极加上高电平(nmos), 晶体管就会饱和, 所以这些基极或栅极对这个结点(线)的关系是或非 nor 逻辑. 如果这个结点后面加一个反相器, 就是或 or 逻辑. 如果用下拉电阻和 pnp 或 pmos 管就可以构成与非 nand 逻辑, 或用负逻辑关系转换与/或逻辑.
这些晶体管常常是一些逻辑电路的集电极开路 oc 或源极开路 od 输出端. 这种逻辑通常称为线与/线或逻辑, 当你看到一些芯片的 oc 或 od 输出端连在一起, 而有一个上拉电阻时, 这就是线或/线与了, 但有时上拉电阻做在芯片的输入端内.
顺便提示如果不是 oc 或 od 芯片的输出端是不可以连在一起的, 总线 bus 上的双向输出端连在一起是有管理的, 同时只能有一个作输出, 而其他是高阻态只能输入.
8.什么是推挽结构
一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止.要实现线与需要用oc(open collector)门电路 .如果输出级的有两个三极管，始终处于一个导通、一个截止的状态，也就是两个三级管推挽相连，这样的电路结构称为推拉式电路或图腾柱（totem-pole）输出电路（可惜，图无法贴上）。当输出低电平时，也就是下级负载门输入低电平时，输出端的电流将是下级门灌入t4；当输出高电平时，也就是下级负载门输入高电平时，输出端的电流将是下级门从本级电源经 t3、d1 拉出。这样一来，输出高低电平时，t3 一路和 t4 一路将交替工作，从而减低了功耗，提高了每个管的承受能力。又由于不论走哪一路，管子导通电阻都很小，使rc常数很小，转变速度很快。因此，推拉式输出级既提高电路的负载能力，又提高开关速度。供你参考。
是两个参数相同的三极管或mosfet,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小 效率高。
输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。
推挽电路是两不同极性晶体管输出电路无输出变压器（有otl、ocl等）。
是兩個參數相同的三極管或mosfet,以退晚方式存在於電路中,各負責正負半周的波形放大任務
9.什么是mcu、risc、cisc、dsp
mcu(micro controller unit)，又称单片微型计算机(single chip microcomputer)，简称单片机，是指随着大规模集成电路的出现及其发展，将计算机的cpu、ram、rom、定时数器和多种i/o接口集成在一片芯片上，形成芯片级的计算机。mcu按其存储器类型可分为mask(掩模)rom、otp(一次性可编程)rom、flash rom等类型。mask rom的mcu价格便宜，但程序在出厂时已经固化，适合程序固定不变的应用场合；falsh rom的mcu程序可以反复擦写，灵活性很强，但价格较高，适合对价格不敏感的应用场合或做开发用途；otp rom的mcu价格介于前两者之间，同时又拥有一次性可编程能力，适合既要求一定灵活性，又要求低成本的应用场合，尤其是功能不断翻新、需要迅速量产的电子产品。
risc，精简指令集计算机，指的是cpu指令集的一种。risc指令集的每条指令简单，执行的动作更少，但整体的时钟速度可以很高，通常可以提高cpu性能。
cisc，复杂指令集计算机，指的是另一种cpu指令集。cisc指令集的每条指令复杂，功能丰富，相对于risc指令集，执行同一个功能所需的指令更少，而执行每条指令的时间会更长。
dsp（digital singnal processor）是一种独特的微处理器，是以数字信号来处理大量信息的器件。其工作原理是接收模拟信号，转换为0或1的数字信号，再对数字信号进行修改、删除、强化，并在其他系统芯片中把数字数据解译回模拟数据或实际环境格式。
dsp芯片，也称数字信号处理器，是一种特别适合于进行数字信号处理运算的微处理器具，其主机应用是实时快速地实现各种数字信号处理算法。根据数字信号处理的要求，dsp芯片一般具有如下主要特点：
（1）在一个指令周期内可完成一次乘法和一次加法；
（2）程序和数据空间分开，可以同时访问指令和数据；
（3）片内具有快速ram，通常可通过独立的数据总线在两块中同时访问；
（4）具有低开销或无开销循环及跳转的硬件支持；
（5）快速的中断处理和硬件i/o支持；
（6）具有在单周期内操作的多个硬件地址产生器；
（7）可以并行执行多个操作；
（8）支持流水线操作，使取指、译码和执行等操作可以重叠执行。
当然，与通用微处理器相比，dsp芯片的其他通用功能相对较弱些。
10.什么是fpga和asic
fpga是可编程asic。
asic:专用集成电路，它是面向专门用途的电路，专门为一个用户设计和制造的。
根据一个用户的特定要求，能以低研制成本，短、交货周期供货的全定制，半定制集成电路。与门阵列等其它asic(application specific ic)相比，它们又具有设计开发周期短、设计制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点。
11.fpga 与 cpld 的异同点
a.逻辑单元的粒度不一样，设计灵活性不同。fpga逻辑单元的粒度比cpld小，因此设计更为灵活。
b.fpga芯片的逻辑门密度比cpld芯片高。
c.cpld的内连接采用交叉开关结构，其内连率很高，内部连接长度不会累积。fpga采用有限的布线线段连接内部各部件，内部连接长度会产生积累，因此需要人工布局布线来优化速度和面积。
d.cpld 的布线结构决定了它的时序延时是均匀和可预测的，即在设计输入不变的情况下，每次布局布线后其时序延时是一定的。fpga分段式布线结构导致了每次布局布线后延时是不一样的。
e.cpld 更适合于完成各类算法和组合逻辑，而fpga 更适合于完成时序较多的逻辑电路。
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