发表于：2004/3/25 9:58:00
#0楼
推荐：串口扩展芯片GM812X和非易失性存储器GM210X ！！
如果你有在用DALLAS芯片和串口扩展芯片或者正准备的话，我们是你最好的选择。
价格：NV-SRAM与容量相同的DALLAS比较，价格仅为其的50-60%；
串口扩展一扩三GM8123：RMB20，一扩五GM8125：RMB25。
1. 完全兼容DALLAS的NV-SRAM非易失性存储器，广泛应用于三表远抄的数据采集器、税控机、POS机、税控加油机、电力电表、水表、楼宇对讲门口机、停车咪表等各种掉电需要保存数据的场合。
其产品特性如下：
*具备独特的自动延时上电保护功能
*内置大容量优质锂电池，在没有外部供电的情况下数据可以持续保持10年以上
*在掉电的瞬间数据自动被保护
*完全替代相同容量的易失性SRAM
*无限次读写
*超低功耗CMOS 技术
*读写时间为45ns-70ns
*宽范围工作电压
*完善的工业级和商业级型
*优质进口ABS 外壳
*优质进口环氧树脂封装
*纯铜镀锡针脚保证焊接和插接可靠，长时间存放不氧化
*具有良好兼容性，可完全替代同类产品.
GM 系列NV-SRAM 可提供32kb 至16Mb 的存储容量，存取时间最高可达45ns，产品质量可靠，性能稳定，各项指标先进，性价比高。
2. GM812X系列串口扩展芯片，可为用户提供最简单和低成本的UART串口扩
展方案，该系列芯片子串口最高波特率达38400bps。该芯片提供两种工作模式，用户可根据需要灵活选择。该芯片母串口和子串口的工作波特率可由软件调节，而不需要修改外部电路和晶振频率。
GM812X系列芯片的外部控制少，应用灵活，编程使用简单，适合于大多数需要多串口扩展的应用场合。
——采用写控制字的方式对芯片进行控制
——各子串口波特率可调（统一调节）
——数据格式10位或11位可选
——各子串口最高波特率38400bps（外接晶振为24MHz），外接晶振典型值为12MHz（子串口最高波特率为19200bps）
——子串口数：3个（GM8123）或5个（GM8125）
——两种工作模式，用户可根据自己的系统需求灵活选择
——在单通道工作模式下，芯片工作无需任何设置，工作串口的TXD和RXD可分别由地址线控制选择
——在多通道工作模式下，允许所有子串口同时工作，子串口波特率等于母串口波特率的1/（N+1），N为子串口数目
——在多通道工作模式下，接收时RXD通道地址线向MCU返回接收子串口的地址，MCU接收到母串口送来的数据后就可根据SRADD的状态判断数据是从哪一个子串口送来的；发送时先由MCU选择子串口再向母串口发送数据
——与标准串口通讯格式兼容
——2.7~6.5V宽工作电压
——工作温度范围：-40℃~85℃
——输出波特率误差小于0.2%，输入波特率误差要求小于2.8%
我们还有I/O口扩展芯片、倒车雷达专用功能芯片等，同时我们也承接芯片设计服务！
更详细的产品数据手册、应用相关的信息及样品申请，请访问www.gticc.com
电话：0755-25387317 dychen2001@163.com
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其产品特性如下：
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*读写时间为45ns-70ns
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*纯铜镀锡针脚保证焊接和插接可靠，长时间存放不氧化
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GM 系列NV-SRAM 可提供32kb 至16Mb 的存储容量，存取时间最高可达45ns，产品质量可靠，性能稳定，各项指标先进，性价比高。
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——各子串口波特率可调（统一调节）
——数据格式10位或11位可选
——各子串口最高波特率38400bps（外接晶振为24MHz），外接晶振典型值为12MHz（子串口最高波特率为19200bps）
——子串口数：3个（GM8123）或5个（GM8125）
——两种工作模式，用户可根据自己的系统需求灵活选择
——在单通道工作模式下，芯片工作无需任何设置，工作串口的TXD和RXD可分别由地址线控制选择
——在多通道工作模式下，允许所有子串口同时工作，子串口波特率等于母串口波特率的1/（N+1），N为子串口数目
——在多通道工作模式下，接收时RXD通道地址线向MCU返回接收子串口的地址，MCU接收到母串口送来的数据后就可根据SRADD的状态判断数据是从哪一个子串口送来的；发送时先由MCU选择子串口再向母串口发送数据
——与标准串口通讯格式兼容
——2.7~6.5V宽工作电压
——工作温度范围：-40℃~85℃
——输出波特率误差小于0.2%，输入波特率误差要求小于2.8%
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