三极管发射结或光耦输入侧并联电阻的作用

又看了看，这个电阻不是作者说的那样，这个电阻是防止温漂的，使管子静态工作点稳定的。集电结反偏理论上不会产生漏电流。这个电路是共射放大基本电路，模拟电路的重点。

基本同意咸老师的理解。不过，也可以这样理解：在三极管截止（输入“0”）状态时：
1、如果没有R132这个电阻，这个三极管的集电结、发射结等效内阻是并联到电源24V的2端的（集电极回路的REL电阻相对集电结截止内阻极小忽略不计），此时，集电结、发射结都处于截止，内阻极大。发射结分压也不小，有可能超过0.6V，造成发射结的正偏置而导通，破坏了三极管的预定截止状态。至少，造成截止的不够可靠。
2、加了R132后，由于R132阻值相对截止时的发射结内阻小很多，故分压也很小，不足以造成三极管导通，加强了三极管的截止保证。当然，此R132阻值越小，这种保证就越可靠（但对三极管导通饱和所要求的前级驱动电流输出能力的要求也就更高了）。
IGBT的G-E结间，通常也要并联1只5.1K-10K左右的电阻，用意也如此。

可以参照31楼的解释。

反向泄放电阻。。确实在另一方面起到这个作用。

一个阻容串或并电路，其充放电时间长度，与电阻值、电容量成正比。当一个三极管确定后，并且偏置电压确定后，其发射结、集电结等效电阻一定，结电容值一定。那么，为了提高对脉冲信号的处理速度（即减小对脉冲上升时的充电时间和脉冲下降时的放电时间，尽可能保持原脉冲波形），只有在集电结、发射结端并联一定阻值的电阻，以尽可能减少充放电时间，特别是发射结。
高频率脉冲或高速开关电路中，减少波形失真，提高上下沿陡峭，或提高开关响应速度。
重新学习了。

佩服咸老师在基础理论领域给大家科普的精神，其实工业设备维修这条路，要想成高手，单元电路是必须跨过去的坎

谢谢咸老师每一次的精细讲解

我现在都是MOS做开关(大电流的)，三极管早就不用了

王大师也来点评了

你的说法和半导体电路基础教材一样，支持