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IGBT基板具有导电、绝缘和支撑的功能，其性能、质量和制造工艺等因素很大程度受到基板材料的影响。IGBT模块功率高，传统金属基板、玻璃基板较难满足其散热性能要求。目前市场上主要使用的IGBT基板有陶瓷基板（含陶瓷覆铜基板）、铝碳化硅基板等类别，极少部分中小功率IGBT使用金属基板。
金属基板（铜、铝及合金）：铜、铝是传统的导热材料，热导率仅次于金、银，广泛用于制作电子元器件的散热片、基板等部件。IGBT功率高，耗能大，传统的铜、铝基板正逐步被新型高导热材料取代。
陶瓷基板：具有优良的导热性、气密性、可加工性、耐热冲击等性能，适用于功率电子、混合微电子与多芯片模块封装等领域。陶瓷基板有带铜和不带铜两类，分HTCC（高温共烧多层陶瓷基板）、LTCC（低温共烧多层陶瓷基板）、DBC（直接敷铜陶瓷基板）、DPC（直接镀铜基板）四种形式。DBC与DPC散热基板性能强于LTCC和HTCC，且DPC因其高导热、低成本、易操作等优势易于制作功率模块。不带铜底板的模块陶瓷基板材料主要为Al2O3和AlN，热导率分别为20W(m·K)、180W(m·K)，故AlN陶瓷基板适用于要求高的中大功率器件。带铜的陶瓷覆铜基板由电子科技集团研发，利用铜的含氧共晶体直接将铜覆接在陶瓷上形成铜—氧共晶体，将铜片与瓷片结合后烧结制成DBC基板。
铝碳化硅基板：以铝碳化硅新型高导热复合材料为原料制成的基板，其热导率可高达200W(m·K)，膨胀系数可通过碳化硅体积分数（50%-80%）调整，具有密度小、重量轻，抗弯强度高等优点，是航空航天、功率器件、高铁及微波等领域首选采用的新材料。
