IGBT 饱和压降Vsat实测值和官方参数对比
在国内电子市场上，鱼目混珠的产品太多，特别是大功率的IGBT，全新的和翻新的很难分辨出真假，标称的饱和压降参数和实际的参数相差较大。工程师容易测试IGBT是否顺坏，但是难测试大电流情况下IGBT的表现情况。如果采用多个IGBT并联工作，即使是同一批次的产品，由于个体差异，大电流情况下的Vce压降千差万别，无法很好实现均流。如果能够真实测量大电流情况下，IGBT的实际压降，使用IGBT到实际产品时，能够大大的提高产品的可靠性。当然，本产品可以再采购时使用，准确分辨IGBT真伪，防止买到次品。
厂家给定的参数为400A时，对应输出电压为2.5V@ Vgs=15.0V，对应的管子热量损耗为1000W。如果工程师安装这个特性曲线进行散热设计，选择多大的散热片，选择多大的风速都是可以计算出来的。这些当然是理想的情况了，实际上，厂家给出的管子特性曲线都是真实的IGBT的实际测试曲线，但是那些IGBT是经过挑选的，一批里面最好的管子，这样在销售的时候才有竞争力，你会去买一个同样电流，压降更大的管子吗？当然不会，选择性能好的才是最佳选择呀！本人也是工程师，在此深受其害。记的在做一个30V1200A的36kW恒流恒压电源的时候，本人采用了移向全桥结构，如下图。
图1 移向全桥结构
使用uc3875作为主控芯片，当满功率测试时，器件都工作在了软开关阶段了，扇热片发热厉害，分析一下，这个时候只有剩下导通损耗了呀。多次怀疑自己的开通时序问题，但是都没有发现问题，经过长时间的折腾，测试IGBT的特性，发现问题是IGBT的管压降比官方参数高，官方2.0V，实测2.8V,时间高0.8V，多么可怕。
这里使用艾克思科技的IGBT-1200A型测试仪来测试，CM400HA-24HA型IGBT来说明问题，器件参数如下图所示。
图2 IGBT外形图和参数图
测试器件为CM400HA-24H@Vgs=15.0V，得到的曲线如下图：
下表将测试数据和官方数据进行比较，
电流(A) 电压(V) 官方数据(V)
0 0.032 0
162.8 2.264 1.9
319.5 2.774 2.4
482.4 3.208 2.6
639.1 3.598 2.85
802 4.004 3.2
1001 4.526 无
1097.4 4.8 无
1200 5.116 无
通过比较发现：官方数据仅供参考，数据优化后非常美，实际上达不到标定参数，如果按照官方给定的参数设计散热量的话，你就相差50%，后果严重，模电工程师不但需要具备看英文参数手册的能力，还需要具有准确的判断手头上的IGBT真实参数的能力，哈哈哈模电工程师就是一个需要资历、经验的岗位。
回想我的一个朋友曾经使用IGBT做并联，获得更大的电流容量，在实际的操作中，损失伤亡较大。后来我去帮忙解决问题，发现主要问题是IGBT的Vsat问题，当使用仪器测试好器件的Vsat后，然后使用相同批次，相同Vsat的IGBT并联后，一切都工作正常了。结论是：同一批产品，igbt不像mos管的参数那么标准，差别较大，并联更需谨慎。
